中評社北京11月15日電／據人民日報報導，2019年11月成立，2020年1月成立海外子公司並在當地設立研發中心，2021年12月兩條生產線分別在國內外開工……近幾年，無錫利普思半導體有限公司在發展路上不斷提速。
“這是我們的SiC（碳化矽）模塊封裝測試生產線”“這是應用實驗室，主要測試功率模塊的靜態參數和動態參數”……在位於江蘇無錫蠡園經濟開發區內的公司總部，利普思聯合創始人、首席運營官丁烜明介紹，“公司專注於第三代功率半導體SiC模塊的封裝設計、製造與銷售。目前國外的生產線可年產30萬個SiC模塊，無錫工廠可同時生產車規級SiC模塊和IGBT（絕緣栅雙極型晶體管）模塊，總年產能達90萬個。”
SiC模塊和IGBT模塊都屬於功率半導體，是電力控制和轉換的關鍵部件，應用於新能源汽車、工業控制、新能源發電及儲能等領域。隨著新能源和新能源汽車等行業快速發展，SiC、IGBT模塊的市場需求越來越大。“我們創業之初就確立創新驅動發展的理念，依靠科技創新實現高性能高可靠性SiC、IGBT模塊的國產化，服務全球客戶。”丁烜明說。
創新驅動本質上是人才驅動。“目前企業研發團隊超60人，占員工總數的45%，涵蓋芯片設計、封裝材料、模塊封裝設計、生產工藝以及模塊應用等領域。”丁烜明介紹，公司成立至今，已自主研發了包括新型封裝材料、封裝設計和封裝工藝工程等方面的關鍵技術，申請專利38項，其中發明專利17項，實用新型專利21項。
“在2020年的中國創新創業大賽全國總決賽中，我們斬獲了名次；在今年8月舉行的2023集成電路（無錫）創新發展大會上，我們也獲得好評。”丁烜明說，這體現了企業在技術創新和產業化方面的特色和優勢。
“現在國內外客戶越來越重視產品品質，品質過硬才能贏得客戶青睞。”丁烜明說，公司產品除了服務國內客戶，還銷往歐洲和北美，“今年是量產的第一年，從目前的訂單看，企業年度銷售額有望達6000萬元。”
“隨著營商環境不斷優化，我們越做越有勁頭。”談及未來，丁烜明說，企業正向著成為全球SiC模塊行業引領者的目標不斷前進。 |
